Infrastruktur & Tools im Bereich CMOS- und MEMS-Technologien

Infrastruktur CMOS Fab

Für die Realisierung von kundenspezifischen Technologien und Mixed-Signal ICs steht am Fraunhofer IMS ein vollständig, professionell betriebener 200mm CMOS-Reinraum mit verschiedensten robusten CMOS-Technologien bis zu einer minimalen Strukturgröße von 0,35 µm zur Verfügung z. B. Hochspannung SOI-CMOS, 0,35  µm Hochtemperatur oder automotive Mixed-Signal CMOS. Die gesamte Infrastruktur ist für die hohen Anforderungen der Automobilindustrie ausgelegt und verfügt über einen entsprechenden Automobil-Industrie-Standard. Auch Realisierungen von Sonderschritten wie z.B. Oberflächenplanarisierung sind im CMOS-Reinraum möglich.

Kenndaten der CMOS-Fab

• Fokus: Kundenspezifische CMOS-Prozesse
• Fläche: 1.300 m²
• Minimale Strukturgröße: 0,35 µm
• Personal: 4 Schichten / 7 Tage die Woche
• Kapazität: >50000 Wafer pro Jahr
• Kernkompetenzen: hochqualifizierte CMOS-Technologien
  • Mixed-Signal ASICs
  • Hochtemperatur SOI-CMOS
  • Imagers

Infrastruktur Mikrosystemtechnik Lab & Fab

Zur weiteren Bearbeitung von 200 mm CMOS-oder Kunden-Wafer wurde am Fraunhofer IMS mit Unterstützung des Landes NRW, des BMBF und der EU ein Mikrosystemtechnologie-Reinraum aufgebaut. Als kompetenter Partner bieten wir die Entwicklung einzelner Prozessschritte über Prozessmodule bis hin zu vollständigen MEMS-Technologien an. Im Fokus stehen vor allem Post-CMOS-Prozesses zur Funktionalitätserweiterung von CMOS-Wafern. Auf diesen »intelligenten« Substraten, versehen mit analogen und digitalen Ansteuer-, Auslese- oder Schnittstellenschaltungen werden in der Mikrosystemtechnik Lab&Fab  funktionale Strukturen aufgebracht. Mit dieser Kombination aus CMOS und MEMS können innovative und kompakte Mikrosysteme für den Einsatz in Medizin, Industrie, Automobil, Luft- und Raumfahrt bis hin zu Consumer-Anwendungen entstehen.

Kenndaten der Mikrosystemtechnik Lab & Fab 

• Fokus: Integrierte Sensor Systeme auf »intelligenten« Substraten
• Fläche: 600 m²
• Minimale Strukturgröße: 0,35 µm
• Kapazität: 5000 Wafer pro Jahr
• Kernkompetenzen: Mikrosystemtechnologie auf CMOS
  • Drucksensoren
  • Bio-Sensoren
  • Mikrobolometer
  • Backside Illuminated Sensoren

Infrastruktur Aufbau- und Verbindungstechnik

Neben dem CMOS- und MST-Reinraum bietet das Fraunhofer IMS ein breites Spektrum an Prozessschritten im Bereich der Back-end Bearbeitung von mikroelektronischen Komponenten und Systemen an.

Wafer aus der Front-end Fertigung können hier getestet, gedünnt, vereinzelt und aufgebaut werden. Für besondere Test- und Montageanforderungen im Bereich der Druck- und Bildsensorik stehen eigene Reinräume und Anlagen zur Verfügung.