Services & Know-How

Hier finden Sie einen Überblick über unsere Angebote für kundenspezifische Lösungen im Bereich der Mikroelektronik.

Service & Know-How im Bereich CMOS- und MEMS-Technologien

Entwicklung und Integration von innovativen mikroelektronischen und mikromechanischen Komponenten und Systemen

Nutzen Sie den Service und das Know-How des Fraunhofer IMS im Bereich CMOS und Mikrosystemtechnik zur Entwicklung innovativer und kompakter Mikrosysteme.

Das Fraunhofer IMS verfügt über eine 30-jährige Erfahrung im Bereich der CMOS Technologieentwicklung und hat sich im Bereich Devices and Technologies vor allem auf folgende Themengebiete fokussiert:

Hochtemperatur-ICS auf Basis der SOI-CMOS-Technologie für den Temperaturbereich von -50 °C bis 300 °C
© Fraunhofer IMS
Hochtemperatur-ICS auf Basis der SOI-CMOS-Technologie für den Temperaturbereich von -50 °C bis 300 °C

CMOS

 
  • Entwicklung und Transfer von Prozessmodulen für CMOS, z.B. nichtflüchtige Speicher, analoge Komponenten, optische Bauelemente, spannungsfeste Bauelemente
  • Entwicklung von CMOS Technologien, z. B. Hochtemperatur-SOI-CMOS Technologie als Basis für integrierte Schaltungen für den Einsatz bis 300 °C
  • Realisierung von Sonderschritten, z. B. Oberflächenplanarisierung
  • Fertigung von Pilotserien im Reinraum des Fraunhofer IMS

Zusätzlich zum Bereich CMOS verfügt das Fraunhofer IMS über einen Mikrosystemtechnik Lab & Fab und kann folgenden Service und Know-How anbieten:

REM-Aufnahme von Cu/Sn-SLID-Bumps zur Kontaktierung im Chip-zu-Wafer-Verfahren
© Fraunhofer IMS
REM-Aufnahme von Cu/Sn-SLID-Bumps zur Kontaktierung im Chip-zu-Wafer-Verfahren

MST-Prozessschritte

  • Abscheidung und Strukturierung von Schichten:
  • Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von , SiO2, Si3N4, SiGe, Ge, SiC, Diamond like Carbon (DLC), amorphem Si, SiO2, Si3N4, SiGe, Ge, SiC, Diamond like Carbon (DLC)
  • Atomlagenabscheidung (ALD) von Al2O3 , Ta2O5 , Ru, TiAlCN, TiN
  • Physikalische Schichtabscheidung von Metallen, z. B. Ti, TiN, TiW, AlSi, Cu
  • Galvanik von Cu, Sn, Ni, Au, ZnO

Lithographie mit präziser Justage von Vorder- zur Rückseite des Wafers

  • Ätzprozesse: ICP, RIE, DRIE, Si-Tiefenätzen, Nassätzprozesse
  • 3D Integration mittels Wafer zu Wafer und Chip zu Wafer Verbindungen:
  • Direktes Wafer-Bonden
  • Solid-Liquid Interdiffusion Bonding (SLID)

Durch die Kombination des Fachwissens aus CMOS- und MEMS-Prozessen kann das Fraunhofer IMS verschiedene Möglichkeiten zur 3D-Integration von CMOS-Wafer und MEMS-Strukturen anbieten:

Vollbestückter Wafer mittels Chip-zu-Wafer-Verfahren
© Fraunhofer IMS
Vollbestückter Wafer mittels Chip-zu-Wafer-Verfahren

MEMS auf CMOS

  • 3D-Integration von MEMS- und CMOS-Komponenten bzw. Schaltungen zu MEMS basierten Systemen
  • Sensorprozesse
    • optische Detektoren
    • Mikrobolometer-Arrays für Ferninfrarot-Sensoren
    • Drucksensoren in Oberflächen-Mikromechanik
    • Farbfilter und Mikrolinsen für optische Bauelemente
    • optische Sonderbauelemente
    • Biosensorelemente
  • Fertigung von Pilotserien in den CMOS- und MST-Reinräumen des Fraunhofer IMS

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Erfahren Sie mehr über unsere Infrastruktur zur Herstellung von mikroelektronischen und mikromechanischen Komponenten und Systemen.

Kooperationsmodelle

Das Fraunhofer IMS bietet Kooperationsmodelle im Bereich mikroelektronischer und mikromechanischer Komponenten an von der Konzeptionierungsphase bis zur Pilotserienfertigung. 

Übersichtsseiten

Devices and Technologies (Home)

Das Fraunhofer IMS bietet optimale Voraussetzung zur Entwicklung von innovativen mikroelektronischen und mikromechanischen Komponenten und Systemen.

Anwendungen

Übersicht über typische Entwicklungsprojekte im Bereich Devices and Technologies

Technologien

Kundenspezifische CMOS-Prozesse, Hochtemperatur-ICs, MEMS and Post-CMOS processing, Atomic Layer Deposition (ALD), 3D-Integration

Leistungen

Unsere Angebote für kundenorientierte Lösungen - von der Beratung über die Prozessentwicklung bis hin zur Serienproduktion

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