FunALD

Im Rahmen des Projektes FunALD wird eine neue Materialherstellung mittels Atomlagenabscheidung“ (»Atom Layer Deposition«, kurz ALD) für die Sensortechnik untersucht

Ultradünne funktionale Materialien auf Basis der ALD-Technologie (FunALD)

Funktionale ultradünne Werkstoffe durch Atomlagenabscheidung für die nächste Generation der Nanosystemtechnik

Freistehende 3D-Membran z.B. zur Verwendung als Mikrowaage in der Massendetektion
© Fraunhofer IMS
Freistehende 3D-Membran z.B. zur Verwendung als Mikrowaage in der Massendetektion
Freistehender Nanodraht über Heizermeanderstrukturen z.B. zur Gasdetektion durch Widerstandsänderung
© Fraunhofer IMS
Freistehender Nanodraht über Heizermeanderstrukturen z.B. zur Gasdetektion durch Widerstandsänderung
Logos der Beteiligten am Konsortium des Projekts FunALD
Konsortium für das Projekt Fun ALD

Gassensoren sind aus vielen Bereichen der Wirtschaft und des Alltags nicht mehr wegzudenken. Im Automobil detektieren sie Diesel- und Benzinabgase in der Außenluft und verhindern durch automatische Steuerung des Lüftungssystems das Eindringen der Schadstoffe in den Fahrzeuginnenraum. In der Lebensmittelproduktion überwachen sie die Ammoniak-Konzentration in Kälteanlagen und in Fabrikhallen kontrollieren sie zum Beispiel das Austreten von Methan aus dem Leitungsnetz. Luftgütesensoren sowie Sensoren in Mess-Systemen erfassen toxische und explosive Gase und warnen vor dem Austreten gefährlicher Schadstoffe.

Heute kommerziell erhältliche Sensoren sind allerdings für viele Anwendungen vergleichsweise zu wenig sensitiv und haben eine große Querempfindlichkeit, d. h. sie sprechen auch auf andere, nicht gewünschte Stoffe an. Der Schlüssel zu sensitiveren, spezifischeren und günstigeren Sensoren können neue, ultradünne und im Nanometerbereich strukturierte Materialien sein.

Über FunALD

Im Rahmen des Projektes FunALD wird eine neue Art der Materialherstellung insbesondere für die Sensortechnik untersucht, die »Atomlagenabscheidung« (»Atom Layer Deposition«, kurz ALD). Mit dem ALD-Verfahren können Materialschichten ultradünn – Atomlage für Atomlage – gezielt abgeschieden und strukturiert werden. Es werden neue metallorganische Ausgangsmaterialien (»Precursoren«) für den ALD-Prozess entwickelt, Teststrukturen auf Basis von Schichten und Schichtenfolgen entworfen und hergestellt, sowie Messverfahren entwickelt, um die Schichten und Schichtenfolgen gezielt zu charakterisieren. Die Messverfahren werden so ausgelegt, dass die Eignung der ALD-Schichten für die spätere Anwendung in der Sensorik (insbesondere für Gase) validiert wird und so ihre gezielte Optimierung möglich wird.

Zudem ist es möglich, mit Hilfe der ALD-Technik freitragende dreidimensionale Bauelemente aufzubauen. Solche freitragenden Nanodrähte aus Metalloxiden eignen sich hervorragend für ultrasensitive Gas- oder Bio-Sensoren.

Verwertet werden die Erkenntnisse des Projekts dadurch, dass optimierte Schichtenfolgen am Fraunhofer IMS als Prozesse installiert werden, die der Industrie zur Sensorentwicklung bereitstehen. Prozesse für Precursoren, Schichtenfolgen oder Messverfahren stehen direkt für einen Transfer in die Anwenderindustrie zur Verfügung.

Dieses Vorhaben wird aus Mitteln des Europäischen Fonds für regionale Entwicklung (EFRE) gefördert

Logos der Förderer des Projektes FunALD: EFRE.NRW und Europäische Union

Das könnte Sie auch interessieren

ZellMOS

In dem interdisziplinären Fraunhofer-Max-Planck-Kooperationsprojekt ZellMOS entwickeln Chipdesigner, Prozessingenieure und Biophysiker ein CMOS-Nanoelektrodenarray.

Großflächige DEPFET-Detektoren

Zur Herstellung großflächiger Röntgensensoren entwickelt das Fraunhofer IMS einen kundenspezifischen CMOS-Prozess.

Übersichtsseiten

Devices and Technologies (Home)

Das Fraunhofer IMS bietet optimale Voraussetzung zur Entwicklung von innovativen mikroelektronischen und mikromechanischen Komponenten und Systemen.

Anwendungen

Übersicht über typische Entwicklungsprojekte im Bereich Devices and Technologies

Technologien

Kundenspezifische CMOS-Prozesse, Hochtemperatur-ICs, MEMS and Post-CMOS processing, Atomic Layer Deposition (ALD), 3D-Integration

Leistungen

Unsere Angebote für kundenorientierte Lösungen - von der Beratung über die Prozessentwicklung bis hin zur Serienproduktion

Download