Das Fraunhofer IMS verfügt über eine komplette Infrastruktur im Bereich Hochtemperatur-Elektronik vom IC-Entwurf über Fertigung und Test bis zur Assemblierung.
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Das Fraunhofer IMS verfügt über eine komplette Infrastruktur für die Fertigung, den Test und die Assemblierung von integrierten Hochtemperatur ASICs. Diese basiert auf der 0,35 µm HT-CMOS-Technologie und wird ergänzt durch das Mikrosystemtechik Lab&Fab. Auf dieser Basis können HT-Schaltungen sowie Sensoren und Aktoren für einen Temperaturbereich bis zu 300 °C entwickelt und gefertigt werden.
Für die Realisierung von Hochtemperatur- (HT) Schaltungen steht am Fraunhofer IMS die komplette Infrastruktur von der Schaltungsentwicklung, der Fertigung incl. Mikrosystemtechnik, der Charakterisierung und dem Schaltungstest sowie der Assemblierung zur Verfügung.
Die Schaltungsentwicklung erfolgt auf der Basis von Standard-Entwicklungstools und kann auf umfangreiche Bauteil- und Schaltungsbibliotheken zurückgreifen. Damit können analoge und digitale Funktionalitäten sowie Mixed-Signal-Systeme entworfen werden; Synthesetools erlauben auch die Realisierung komplexer Digitalteile bis hin zum eingebetteten Mikrocontroller.
Das Fraunhofer IMS fertigt die entwickelten mikroelektronischen Schaltungen im institutseigenen Reinraum, der mit Industrie üblichen Geräten ausgestattet ist und professionell in Kooperation mit einem Industriepartner betrieben wird. Für die Realisierung von anwendungsspezifischen integrierten Hochtemperatur-Schaltungen (ASICs) hat das Institut eine eigene spezifische 0,35 µm SOI CMOS-Technologie entwickelt, die auf Grund ihrer geringen Strukturgröße im Bereich der HT-Technologien weltweit derzeit führend ist. Weitere Post-CMOS-Prozessschritte stehen im Mikrosystemtechnik-Reinraum zur Verfügung. Hier können zusätzliche Schichten (z. B. Gold auf den Pads) abgeschieden werden, außerdem können MEMS-Strukturen realisiert werden. Somit lassen sich auch 3D-Strukturen für Sensoren oder Aktoren herstellen.
Für den Test und die Charakterisierung der gefertigten ASICs stehen modern ausgestattete Labore sowie professionelles Equipment für den vollautomatischen Wafer- und Bauelementetest zur Verfügung.
Im Rahmen der Forschungsfabrik Mikroelektronik (FMD) werden die Fähigkeiten um einen Hochtemperatur-Waferprober für Tests auf Wafer-Ebene bis 300 °C erweitert.
Neben dem CMOS- und MST-Reinraum bietet das Fraunhofer IMS ein breites Spektrum von Prozessschritten im Bereich der Back-end Bearbeitung von mikroelektronischen Komponenten und Systemen an. Wafer aus der CMOS-Fertigung können hier gedünnt, vereinzelt und aufgebaut werden. Der Aufbau erfolgt dabei in der Regel in entsprechende Keramikgehäuse.
Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS