Infrastruktur

Das Fraunhofer IMS verfügt über eine komplette Infrastruktur im Bereich Hochtemperatur-Elektronik vom IC-Entwurf über Fertigung und Test bis zur Assemblierung.

Infrastruktur des Bereichs High Temperature Electronics

Das Fraunhofer IMS verfügt über eine komplette Infrastruktur für die Fertigung, den Test und die Assemblierung von integrierten Hochtemperatur ASICs. Diese basiert auf der 0,35 µm HT-CMOS-Technologie und wird ergänzt durch das Mikrosystemtechik Lab&Fab. Auf dieser Basis können HT-Schaltungen sowie Sensoren und Aktoren für einen Temperaturbereich bis zu 300 °C entwickelt und gefertigt werden.

Infrastruktur Hochtemperatur-Elektronik

Für die Realisierung von Hochtemperatur- (HT) Schaltungen steht am Fraunhofer IMS die komplette Infrastruktur von der Schaltungsentwicklung, der Fertigung incl. Mikrosystemtechnik, der Charakterisierung und dem Schaltungstest sowie der Assemblierung zur Verfügung.

Infrastruktur Hochtemperatur Schaltungsentwicklung

Entwurf eines Hochtemperatur-ASICs am Fraunhofer IMS
© Fraunhofer IMS
Entwurf eines Hochtemperatur-ASICs am Fraunhofer IMS

Die Schaltungsentwicklung erfolgt auf der Basis von Standard-Entwicklungstools und kann auf umfangreiche Bauteil- und Schaltungsbibliotheken zurückgreifen. Damit können analoge und digitale Funktionalitäten sowie Mixed-Signal-Systeme entworfen werden; Synthesetools erlauben auch die Realisierung komplexer Digitalteile bis hin zum eingebetteten Mikrocontroller.

Infrastruktur Fertigung

Einblick in den Fertigungsprozess am Fraunhofer IMS
© Fraunhofer IMS
Einblick in den Fertigungsprozess am Fraunhofer IMS

Das Fraunhofer IMS fertigt die entwickelten mikroelektronischen Schaltungen im institutseigenen Reinraum, der mit Industrie üblichen Geräten ausgestattet ist und professionell in Kooperation mit einem Industriepartner betrieben wird. Für die Realisierung von anwendungsspezifischen integrierten Hochtemperatur-Schaltungen (ASICs) hat das Institut eine eigene spezifische 0,35 µm SOI CMOS-Technologie entwickelt, die auf Grund ihrer geringen Strukturgröße im Bereich der  HT-Technologien weltweit derzeit führend ist.  Weitere Post-CMOS-Prozessschritte stehen im Mikrosystemtechnik-Reinraum zur Verfügung. Hier können zusätzliche Schichten (z. B. Gold auf den Pads) abgeschieden werden, außerdem können MEMS-Strukturen realisiert werden. Somit lassen sich auch 3D-Strukturen für Sensoren oder Aktoren herstellen.

Infrastruktur Schaltungstest

Automatischer Wafertest eines Hochtemperatur-ASICs am Fraunhofer IMS
© Fraunhofer IMS
Automatischer Wafertest eines Hochtemperatur-ASICs am Fraunhofer IMS

Für den Test und die Charakterisierung der gefertigten ASICs stehen modern ausgestattete Labore sowie professionelles Equipment für den vollautomatischen Wafer- und Bauelementetest zur Verfügung.

Im Rahmen der Forschungsfabrik Mikroelektronik (FMD) werden die Fähigkeiten um einen Hochtemperatur-Waferprober für Tests auf Wafer-Ebene bis 300 °C erweitert.

Infrastruktur Aufbau- und Verbindungstechnik

ASIC des Fraunhofer IMS im Keramikgehäuse
© Fraunhofer IMS
ASIC im Keramikgehäuse

Neben dem CMOS- und MST-Reinraum bietet das Fraunhofer IMS ein breites Spektrum von Prozessschritten im Bereich der Back-end Bearbeitung von mikroelektronischen Komponenten und Systemen an. Wafer aus der CMOS-Fertigung können hier gedünnt, vereinzelt und aufgebaut werden. Der Aufbau erfolgt dabei in der Regel in entsprechende Keramikgehäuse.

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Service & Know-How

Entwicklung und Fertigung von Integrierten Schaltungen und MEMS für den Einsatz bei Umgebungstemperaturen bis 300 °C

Kooperationsmodelle

Das Fraunhofer IMS bietet Kooperationsmodelle im Bereich integrierter Hochtemperatur-Elektronik an von der Konzeptphase bis zur Fertigung von Pilotserien. 

Übersichtsseiten

High Temperature Electronics (Home)

Am Fraunhofer IMS werden integrierte Schaltungen, Sensoren und Aktoren in einer 0,35 µm SOI-CMOS Hochtemperatur-Technologie entwickelt und im eigenen Reinraum gefertigt.

Anwendungen

Durchgeführte Projekte im Bereich der analogen und digitalen Schaltungsentwicklung für Hochtemperatur-Anwendungen

Technologien

Wir entwickeln integrierte Schaltungen und Sensoren hoher Komplexität für Umgebungstemperaturen bis 300 °C in SOI-CMOS.

Leistungen

Im Bereich Hochtemperatur-Elektronik bietet das Fraunhofer IMS einen umfangreichen Leistungskatalog von der Konzeptstudie bis hin zur Fertigung an.

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