Infrastruktur des Bereichs CMOS Image Sensors

Die Infrastruktur des Fraunhofer IMS bildet eine solides Fundament für die Entwicklung optischer Sensoren von der CMOS Fertigung bis zur Charakterisierung.

CMOS und MST Fertigung mit höchster Qualität

 Anlage zum automatischen Wafertest am Fraunhofer IMS
© Fraunhofer IMS
Anlage zum automatischen Wafertest am Fraunhofer IMS
Infrastruktur des Fraunhofer IMS
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Infrastruktur des Fraunhofer IMS

Das Fraunhofer IMS bietet vor Ort eine umfangreiche Infrastruktur und zahlreiche Optionen zur Entwicklung, Herstellung und Charakterisierung von Sensoren.

Die im IMS Installierte 0,35 µm CMOS-Technologie ist nach dem Automobil Standard ISO TS16949 qualifiziert und damit äußerst stabil und zuverlässig. Spezielle CMOS »Opto«-Optionen ermöglichen die Realisierung spezieller Prozessschritte und Bauelemente wie CCDs oder SPADs.

Nach der CMOS-Prozessierung können die 200 mm Wafer im MST Lab&Fab weiter »veredelt« werden. Hier sind weitere Prozessschritte wie Waferbonden, Planarisieren, Dünnen, Abscheiden verschiedenster Materialien und Fototechnik möglich. Damit lassen sich zum Beispiel Farbsensoren, Rückseitenbeleuchtung (BSI), Antireflektionsbeschichtung oder Chip-scale Packaging realisieren.

Weitere Reinräume stehen für den Test von Prototypen und Produkten sowie für die Aufbau- und Verbindungstechnik zur Verfügung.

In unserem Messlabor charakterisieren und testen wir mit unseren professionellen Messplätzen die Prototypen der neu entwickelten optischen Sensoren sowohl im Waferverbund als auch im gehäusten Zustand.

Für diese Zwecke stehen folgende Messplätze zur Verfügung:

Halbautomatischer Wafer-Spitzenmessplatz

Zweck: Charakterisierung optischer und elektrischer Strukturen auf Waferebene

Messgrößen:   

  • Dioden-Kennlinien
  • Quanteneffizienz
  • Widerstandsmessungen
  • Dark Count Rate, Dunkelstrom
  • Temperaturabhängigkeiten
  •  

Features:           

  • Wafer-Durchmesser bis 8“
  • Temperierbarer Chuck
  • Strahlungsquelle für Wellenlängen von 350 nm bis 905 nm
  • Automatisierte Messprogramme
Halbautomatischer Wafer-Spitzenmessplatz
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Verdunkelter Bauelemente-Messplatz

Zweck: Optoelektronische Charakterisierung von Sensoren auf Bauelementebene

Messgrößen:

  • Sensorfunktionen und -spezifikationen
  • Dark Count Rate
  • Fototransferkurve
  • Photonendetektionseffizienz

Features:

  • Vollständige Abdunklung
  • Schwingungsdämpfung
  • Verfahrbare großflächig homogene Strahlungsquelle für Wellenlängen von 350 nm bis 905 nm
Verdunkelter Bauelemente-Messplatz
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Mit freundlicher Genehmigung des DLR und der OHB

UV – VIS – NIR Bauelemente-Messplatz

Zweck: Optische Charakterisierung von Sensoren

Messgrößen:   

  • Sensorfunktionen und -spezifikationen
  • Quanteneffizienz

Features:

  • Vollständige Abdunklung
  • Strahlungsquellen für Wellenlängen von 200 nm bis 1100 nm
  • Hoher Freiheitsgrad für verschiedene Sockeltypen
UV – VIS – NIR Bauelemente-Messplatz
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Service & Know-How

Als Partner für innovative Produktentwicklungen im Bereich optischer Sensoren bietet das Fraunhofer IMS alles aus einer Hand: Von der ersten Idee bis zur Pilotfertigung.

Kooperationsmodelle

Das Fraunhofer IMS ist offen für Kooperationen und Herausforderungen, um maßgeschneiderte Lösungen für CMOS Image Sensoren in jeglichen Anwendungen zu erarbeiten.

Übersichtsseiten

CMOS (Home)

Das Fraunhofer IMS besitzt die Erfahrung und Kompetenz, maßgeschneiderte CMOS Bildsensoren zu entwickeln und in einer 8-Zoll CMOS-Linie zu fertigen.

Anwendungen

Die optischen Sensoren des Fraunhofer IMS sind auf die jeweilige Situation zugeschnitten und finden Anwendung in zahlreichen Einsatzbereichen vom autonomen Fahren bis hin zur Quantentechnologie.

Technologien

Das Fraunhofer IMS besitzt jahrelange Erfahrung und technologische Kompetenzen in der Entwicklung und Fertigung von optischen Sensoren für zahlreiche Anwendungen.

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