CMOS-CCD

Das Fraunhofer IMS entwickelt kundenspezifisch CMOS-CCD Strukturen und Sensoren mit extrem hohem Dynamikbereich für TDI-Applikationen.

CMOS Image Sensors – CMOS-CCD

Hochdynamische CMOS-CCDs in Fraunhofer IMS eigenem Prozess

Simulationsergebnis einer kundenspezifischen CMOS-CCD bestehend aus zwei Pixeln und einer bidirektionalen Auslese
© Fraunhofer IMS
Simulationsergebnis einer kunden- spezifischen CMOS-CCD bestehend aus zwei Pixeln und einer bi- direktionalen Auslese

Herkömmliche CCD-Technologien für optische Sensoren werden heutzutage hauptsächlich dort verwendet, wo hohe Anforderungen an den Sensor gestellt werden:

  • Anwendungen, die ein extrem niedriges Dunkelsignal erfordern
  • Anwendungen mit Time-Delay-Integration (TDI) (z. B. Weltraum Detektoren)

In der Regel wird für diese Art von Sensoren ein hochreines, defektarmes Silizium-Material als Basis genutzt, um so Kristalldefekte als Ursache für parasitäre Dunkelsignale zu minimieren. Der Dynamikbereich wird in dem oberen Bereich dadurch erreicht, dass die Betriebsspannungen mit mehr als 10 V große Potentialunterschiede erlauben und somit den Transport von großen Ladungspaketen ermöglichen.

Einer der entscheidenden Vorteile einer in CMOS integrierten CCD besteht darin, dass die komplette Signalverarbeitung sowie die Sensoransteuerung intern stattfinden. Dies vermeidet parasitäre Effekte, wie zum Beispiel hohe Leitungswiderstände oder Bonddraht Induktivitäten. Ein weiterer Vorteil ist, dass die Pixelwerte nicht über ein sehr schnell getaktetes analoges CCD Schieberegister zum Ausgang befördert werden müssen. Durch diese geringen Verluste ist die Leistungsaufnahme für eine CMOS-CCD deutlich höher als für eine herkömmliche CCD. Durch diese meistens hohen Verluste ist die Leistungsaufnahme für eine herkömmliche CCD deutlich höher als für die CMOS-CCD.

Das Fraunhofer IMS hat einen Prozess entwickelt, in dem CCDs so in den CMOS–Prozess integriert werden, dass die CMOS-CCDs die Vorteile beider Technologien nutzen:

Die Integration der CCD in den CMOS-Prozess erlaubt die direkte parallele Signalverarbeitung und A/D-Wandlung auf dem Chip und minimiert somit parasitäre Störeffekte. Die Ausgabe der Digitaldaten über mehrere Kanäle beseitigt den Flaschenhals beim Datentransfer.

Die Adaption des Prozesses an die in CCDs üblicherweise verwendeten Spannungen ermöglicht der CMOS-CCD die Verarbeitung großer Ladungspakete.

Eine speziell angepasste Gate-Struktur aus zwei sich überlappenden Polysilizium-Gates garantiert einen kontinuierlichen Potentialverlauf innerhalb der CMOS-CCD und ermöglicht insbesondere für kleine Signale einen verlustarmen Ladungstransport.

Durch eine tiefe Kanal-Implantation in der CMOS-CCD wird der Ladungstransport von Grenzflächen ferngehalten und gewährleistet so eine hohe Transfereffizienz.

Das Hauptanwendungsgebiet für die CMOS-CCDs ist im Bereich der TDI Weltraumdetektoren zu sehen. Für diese Anwendung werden Sensoren mit sehr hohen optischen Anforderungen benötigt, die aber auch gleichzeitig eine geringe Leistungsaufnahme aufweisen, um den Aufwand, das Gewicht und somit die Kosten für die Sensor-Klimatisierung gering zu halten.

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