Erfahrung im Bereich der CMOS-Technologieentwicklung am Fraunhofer IMS
Seit mehr als 35 Jahren betreibt das Fraunhofer IMS CMOS Technologieentwicklungen und hat als Entwicklungsbasis eine 200 mm CMOS-Linie nach industriellem Standard mit verschiedenen robusten CMOS-Prozessen bis zu einer minimalen Strukturgröße von 0,35 µm (Center for Sensor Technology).
Das Fraunhofer IMS optimiert CMOS Prozesse im Sinne des »More-than-Moore« Prinzips durch die Integration weiterer Funktionen wie z. B. hochspannungsfesten Bauelementen, Hochfrequenzschaltungen, Sensoren oder entwickelt Technologien die den Einsatz der Schaltung unter rauen Bedingungen ermöglichen. Die Vorbereitung der CMOS-Wafer als »intelligentes« Substrat durch z. B. Planarisierung ist ebenfalls eine wichtige Entwicklungsaufgabe. Auf diesen »intelligenten Substraten« werden durch Post-CMOS Prozesse Schichten abgeschieden und strukturiert und damit neue, zusätzliche Bauelemente auf den CMOS-Schaltungen realisiert.